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儲存激蕩60載:DRAM、Flash、存算一體、HBM和CXL

2024-03-30碼農

處理器從記憶體中讀取數據,而記憶體從快閃記憶體中載入數據。DRAM屬於 揮發性記憶體,使用電容儲存,必須隔一段時間重新整理,一旦停止重新整理儲存的資訊就會遺失。而Flash屬於非揮發性的儲存,在斷電後不會遺失數據,是在ROM的基礎上演進而來。DRAM讀寫速度比Flash快、成本高、功耗較大、壽命長、結構簡單整合度高,Flash的優勢在 於容量大、成本低。

本文來自「 」 儲存專題系列一:新套用發軔,存力升級大勢所趨 儲存專題系列二: 存力需求與周期共振,SSD迎量價齊升

儲存的下遊套用過去以手機、PC和伺服器為主,以手機、PC為例的消費電子自去年以來需求持續低迷,至今復蘇需求仍不明朗,而人工智慧和汽車電子作為新興套用方興未艾,激發大量增量需求。在年初現象級 AIGC 套用ChatGPT出圈後,全球科技巨頭爭相在AI領域發力,將刺激更多配套的記憶體用量。另一方面,隨著新能源汽車發展與汽車智慧化不斷演進,汽車有望成長為新一代的智慧終端,或將復制手機、PC的發展路徑,依賴於儲存空間的提升來支持ADAS、高精度地圖、事故記錄、娛樂等功能的突破。

中國已初步完成在儲存芯片領域的戰略布局,但由於起步較晚,且不時受到技術封鎖,在DRAM、 NAND Flash 高端儲存產品市場較韓系、美系龍頭廠商仍有一定差距。

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