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轉自：頭條@二兩紅油小面

前言

快閃記憶體有兩種分類， NAND型快閃記憶體主要用於存 儲

寫操作

■MOS的特性

給柵極高電平，就導通

給柵極低電平，就截止

在MOS管的基礎上加入 浮柵層和穿隧層 就變成 浮柵晶體管 （儲存一位數據的 基本單位 ）

■浮柵晶體管寫操作（邏輯0）

當給柵極施加 較高的 高電平（較高的高電平才能讓電子穿過穿隧層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了

當給柵極低電平時，這時穿隧層就相當於絕緣層，這樣電子就被儲存起來了，這時穿隧層有電子表示邏輯0

■浮柵晶體管寫操作（邏輯1）

這時給襯底較高的高電平時，電子就會從穿隧層被吸引出來，這時穿隧層沒電子表示邏輯1

■小結

根據浮柵層有無電子就可以判斷兩種狀態

讀操作

可以透過判斷浮柵層當前有無電子，來讀取當前的狀態

■如何判斷有無浮柵層電子？

現在給柵極低電平，電子就會被吸引形成溝道（因為低電平不能讓穿隧層導通，所以等價於絕緣層）微信搜尋公眾號：架構師指南，回復：架構師 領取資料 。

因為形成了溝道，D極和S極就有電流了，在這回路中加一個 電流表 來檢測是否有電流

如果浮柵層裏有電子的話，由於同性相斥，即使給柵極通電，電子也不會被吸引上來形成溝道

既然沒溝道的話，那就沒有回路，就檢測不到有電流

矩陣控制

NAND Flash快閃記憶體的讀寫單位是頁，擦寫單位是塊

可以看出兩個浮柵晶體管共用一個N溝道，連線的是同一塊襯底（ 因為襯底都是同一塊，所以以塊為單位 ）

快閃記憶體剖檢視

快閃記憶體3D圖

■如何以塊為單位來讀寫？

當要給某一個晶體管寫入邏輯0時，給該行較高的高電平（比如20V），給該列低電平（ 不形成回路，也就不阻礙電子流向浮柵層 ）

當給某一個晶體管寫入邏輯1時，還是給該行較高的電平（比如20V），給該列高電平（ 形成回路，阻礙電子流向浮柵層 ）

總結

浮柵晶體管是儲存一位數據的基本單元

根據浮柵層有無電子可以區分兩種狀態

-End-

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