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HBM突破「記憶體墻」,實作高頻寬高容量，成為Al芯片最強輔助，我們認為HBM將持續叠代，1/0口數量以及單1/0口速率將逐漸提升，HBM3以及HBM3e逐漸成為Al伺服器主流配置，且產品周期相對較長，單顆容量及配置顆數逐步增加，預計HBM4於2026年釋出。2024年全球HBM市場有望超百億美元，市場空間足，國產供應鏈加速配套。
當前HBM采用「TSV+Bumping」+TCB鍵合方式堆疊，但隨著堆疊層數的增加散熱效率很差，TCB不再滿足需求，海麗仕率先引入MR-MUF回歸大規模 回流焊工藝 ，芯片之間用液態環氧模塑膠作為填充材料，導熱率比TC-NCF中的非導電薄膜高很多，但海麗仕也預計HBM4會引入混合鍵合Hybrid Bonding方案，取消互連凸塊。
混合鍵合與TSV是3D封裝的核心，HBM「連線」與「堆疊」帶來裝置材料端發展新機遇：混合鍵合分為晶圓對晶圓W2W和芯片對晶圓D2W,3D NAND使用W2W,典型案例為長鑫儲存的Xstacking,CMOS層+儲存層采用W2W混合鍵合方案，預計HBM未來亦會采用W2W方案，W2W與D2W方案相比一般套用於良率非常高的晶圓，避免損失。
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1、HBM—突破「記憶體墻」
2、Al算力快速叠代，HBM為最強輔助
3、HBM核心—「連線」與「堆疊」,3D混合鍵合成趨勢
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